SK海力士在韩国京畿道龙仁市打造的半导体集群确实是一个极具规模的项目。目前该集群已经正式进入实质性的建设和追投阶段。 项目规模与投资：该项目最初公布的总投资额约为 120 万亿韩元（约合 900 多亿美元）。最新的动态显示，SK海力士已于 2026 年 2 月宣布追加 21.6 万亿韩元（约合 151 亿美元）用于首座晶圆厂及相关设施的建设。 首座晶圆厂进度：第一座晶圆厂已于 2025 年 2 月 正式破土动工。其建设将分阶段进行，首座晶圆厂预计将在 2027 年 5 月 竣工并投入运营。 战略定位：该基地被定位为 AI 核心存储芯片——高带宽存储器（HBM） 的重要生产据点。通过提高龙仁工厂的容积率，SK海力士计划将洁净室面积扩大 50% 以上，并引入极紫外光（EUV）光刻设备等尖端设施。 长远规划：SK海力士计划在龙仁集群内共建设 四座晶圆厂。预计到 2030 年首厂全面运营后，SK海力士的 DRAM 月产能将大幅提升，目标是缩小与行业龙头三星电子的差距。 这一庞大的产业集群不仅是 SK海力士历史上的战略性项目，也是韩国打造“全球最大半导体超级集群”计划的核心组成部分。
