小米宣布开发GaN，手机内用12月14日，小米创办人，董事长兼CEO雷军在微博平台上宣布，小米手机射频团队论文《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》已成功入选全球半导体与电子器件领域顶会 IEDM 2025。小米技术团队表示，此次入选标志着氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术在移动终端通信领域实现历史性突破，具体包括：● GaN晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破80%，在手机平台上完成了系统级性能验证。● 实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。● 采用D-Mode GaN HEMT，有效规避误开启与击穿风险。
