韩媒：中国长鑫存储撼动全球“DRAM三巨头”体系！ 2月15日，韩国媒体《每日经

韩媒：中国长鑫存储撼动全球“DRAM三巨头”体系！ 2月15日，韩国媒体《每日经济》发表文章称，中国存储器制造商长鑫存储发展势头强劲。有预测称，随着其最近快速增加市场份额，全球存储器市场也将发生变化。   据半导体行业消息人士透露，长鑫存储正考虑将其年晶圆产量提高20%至30%，重点放在合肥工厂，以扩大产能。截至去年底，长鑫存储的月晶圆产能估计约为25万片。 多年来，中国存储器制造商在技术方面一直落后于领先的韩国企业。然而，近期分析表明，他们的工艺技术差距已缩小至一到两代。鉴于半导体市场技术密集且资本密集的特点，中国的大力支持使长鑫存储得以迅速赶上。 事实上，长鑫存储于2024年底开始量产三星电子、SK海力士的主力产品DDR5，震惊了半导体市场。考虑到长鑫存储是一家成立于2016年的新公司，它正在迅速缩小与现有厂商的差距。 长鑫存储的快速增长有可能颠覆数十年来稳固的“DRAM三巨头”（三星、SK和美光）。虽然长鑫存储短期内难以突破领先企业的技术壁垒，但如果它能够凭借政府的大力政策支持和稳定的国内需求扩大规模，就有可能跻身“全球四巨头”之列。 根据研究公司TrendForce发布的数据，长鑫存储在2020年初的全球DRAM市场份额不足1%。然而，截至去年年底，其市场份额已上升至5%，位列全球第四。有预测称，长鑫存储今年的DRAM市场份额有望提升至10%左右。 在美国限制中国获取先进半导体设备的背景下，长鑫存储的增长更引人注目。如果长鑫存储能够向华为供应先进的HBM芯片，预计将显著改变全球存储器市场的格局。 韩国一位业内人士表示：“长鑫存储的产能一直在稳步增长，年增长率达40%至50%。考虑到其低价策略和雄厚的投资实力，跃升为全球存储器四巨头并非不可能。”