我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成

我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！ 李爱珍1958年从复旦大学化学系毕业后进入中国科学院上海冶金研究所，从此扎根半导体材料研究。那时候国内化合物半导体领域几乎一片空白，她从最基础的单晶制备和材料表征开始，一步步积累经验。 上世纪80年代，分子束外延技术成为国际半导体前沿的核心手段，但西方对中国实行严格的技术封锁，完整设备根本买不到。1980年她被公派到美国卡内基梅隆大学电子工程系进修，两年时间里系统掌握了超高真空、分子束控制、原子级薄膜生长全套工艺。学习结束后她拒绝了美方的高薪挽留，带着详细笔记和技术经验回国。 回国后面对的现实是：国内连一套完整的分子束外延装置都没有。她1983年起与沈阳科学仪器厂合作，从真空系统抽气性能测试开始，带着团队反复试验密封结构、束流源设计和电子束蒸发部件。经过六年艰苦攻关，1989年我国第一台国产分子束外延设备通过验收，能够稳定生长出高质量薄膜，直接为后续光通信、红外探测等方向奠定了物质基础。这项突破相当于用自己的双手撕开了一道技术封锁线。 1990年代，她把研究重心转向当时全球极少数实验室才能开展的量子级联激光器。这类器件依赖复杂的多量子阱结构和带内跃迁设计，对材料生长均匀性、界面控制要求极高。她组织团队优化生长温度、束流配比、掺杂浓度等参数，结合X射线衍射、透射电镜、光致发光谱等多种表征手段反复验证。 2000年，课题组成功研制出5至8微米波段量子级联激光材料并实现激射，发表了亚洲第一篇相关SCI论文。美国贝尔实验室专门发来贺信，称这是“极少数实验室才能完成的工作”。她的系列成果还获得多项国家科技进步奖和发明专利。 然而就是这样一位在关键技术领域做出扎实贡献的科学家，从1999年起连续四次申报中国科学院院士却全部落选。申报材料一次比一次充实，推荐信由王占国、吴德馨、秦国刚等多位院士联名撰写，重点说明她在分子束外延设备国产化、量子级联激光器材料突破以及打破技术封锁方面的实际作用。但每次评审结果都停留在初选或未能进入终选环节。 按当时规则，超过一定年龄的候选人需要更多院士推荐，她虽获得部分支持，但数量始终达不到特殊门槛要求。评审偏好也更倾向于理论性强、论文指标突出的工作，而她主导的工程化突破和国家急需的技术攻关，在简历呈现上显得不够“华丽”。 四次落选期间，她没有公开表达不满，也没有调整日常工作节奏。实验室依旧按部就班运转，她继续指导研究生，监督设备运行，推进中红外激光材料向器件方向转化。 2007年美国国家科学院外籍院士评选完全不接受本人申请，全程靠院士提名、多轮匿名筛选和全体成员投票。她事先没有任何预兆，直到收到正式邮件和电话确认才得知结果。消息公布后，她成为当时中国11位美国国家科学院外籍院士中唯一没有国内院士身份的一员。 多家媒体随后赶到上海微系统与信息技术研究所采访。面对记者接连抛出的问题，她身着工作服，手持样品盒，只用最简单的一句话回答：感谢祖国的栽培。这句话没有附加任何解释，却把她几十年的选择浓缩其中——国家给了她出国学习的机会，给了她回国继续攻关的平台和经费，给了她一支可以踏实干活的团队。没有这些支撑，她不可能完成从设备仿制到前沿突破的完整链条。 当选美国国家科学院外籍院士后，李爱珍没有离开岗位，也没有把这个头衔当作改变人生轨迹的资本。她继续留在上海微系统与信息技术研究所，指导学生开展中红外激光材料与器件研究，推动相关技术在高速电子器件、红外探测、通信等领域的落地应用。退休后她依然以研究员身份提供指导，关注国产分子束外延系统的迭代更新。几十年来，她始终把精力放在半导体材料关键技术突破上，从未把头衔当作指挥研究方向的指挥棒。 在半导体领域，“卡脖子”三个字的分量有多重，恐怕没人比她更清楚。国外的奖项可以来得快去得也快，但真正能让国家站稳脚跟的，是那些冷冰冰的生长曲线、测出来的阈值电流和跑起来的器件。她用几十年时间回答了一个问题：技术自主不是口号，而是实验室里日复一日的参数调试和样品分析。她那句看似普通的感谢，其实比任何头衔都更有重量。