大利好！AI驱动DRAM行情剑指2027，半导体存储赛道迎结构性机遇盘后再添重磅利好！半导体芯片概念迎来机构权威背书——全球知名市场研究机构Yole最新报告明确指出，2026年全球DRAM内存容量需求将同比激增23%，其中数据中心领域贡献超半数增幅，这波行业景气周期有望持续至2027年，为半导体存储赛道注入强劲增长动力。据《科创板日报》1月27日消息，Yole在报告中核心研判显示：2026年全球DRAM按容量计算的需求增速达23%，而数据中心领域需求同比增幅更高达28%，对整体增长的贡献度攀升至13%，占比超半数，成为驱动行业增长的核心引擎。更值得关注的是，这波DRAM行情并非短期脉冲，而是由多重核心因素共振催生的结构性机遇，持续周期至少延伸至2027年。一、四重核心逻辑共振，支撑行业长周期景气（一）需求端：AI引爆数据中心，成为增长绝对主力1. 超大规模数据中心与AI服务器成为需求核心来源，其单机内存容量较传统服务器实现数倍提升，当前数据中心已占据全球DRAM产能的50%，其中AI负载相关需求占比达30%，成为不可替代的增长引擎。2. 数据中心领域2026年28%的需求增速，不仅大幅跑赢行业均值，更以13%的贡献度撑起全球DRAM增长的半壁江山，结构性增长特征极为显著。3. AI技术的加速渗透，进一步带动HBM（高带宽内存）等高端产品需求爆发，其单位晶圆消耗量远超传统DRAM，既推高行业价值量，也间接挤压传统DRAM产能供给。（二）供给端：产能扩张周期刚性，短期增量严重受限1. DRAM行业具有强周期属性，晶圆厂从新建、扩建到实现量产，通常需要2-3年的漫长周期，供给弹性极低，难以快速响应短期需求爆发。2. 2026年全球DRAM供给仅能实现少量提升：三星将产能优先倾斜HBM等高附加值产品，SK海力士M15X工厂下半年仅小批量投产，美光博伊西新厂及长鑫存储的扩产节奏偏慢且以满足本土需求为主，均难以改变全球供给紧张的格局。3. 行业新一波有效产能将集中在2027年释放，这意味着2026年全年DRAM供需失衡的状态将持续演绎。（三）结构性因素：产能倾斜加剧供需错配1. 头部厂商纷纷将产能向利润更高的HBM与服务器级DDR5产品倾斜，其中HBM每GB消耗的晶圆量约为DDR5的4倍，直接挤压了传统DRAM的产能空间。2. LPDDR与DDR工艺存在重叠，随着产能向AI相关高附加值产品转移，移动端等传统领域的供应也随之趋紧，进一步放大行业供需矛盾。（四）市场行为：客户备货形成正向循环，推升涨价预期1. 下游企业基于对供给短缺的担忧，纷纷提前加大备货力度，直接加剧了现货市场的紧张态势，目前服务器级DDR5现货价格最高涨幅已达100%。2. 价格上涨与备货行为形成正向反馈，市场涨价预期持续强化，进一步巩固了行业景气周期的持续性。二、行业展望：2026年景气延续，龙头厂商持续受益综合来看，AI驱动的DRAM需求增长具有鲜明的结构性特征，而非短期脉冲式行情，叠加供给端产能释放的滞后性，2026年全球DRAM供需失衡的格局难以缓解，行业高景气度将至少持续至2027年。在此期间，DRAM价格有望维持高位运行，行业集中度进一步提升，具备技术优势与产能规模的龙头厂商将充分享受量价齐升的红利。待2027年新一波产能集中落地后，全球DRAM供需格局或将逐步改善，但短期来看，这一由AI赋能的结构性机遇，已为半导体芯片尤其是存储赛道打开了明确的增长空间，成为当前市场不容忽视的核心利好方向。半导体存储芯片行情半导体AI
