日本在 10nm 纳米压印技术上取得突破。 日本刚刚研发出一种光刻技术,实现了 10 纳米的特征尺寸,可能会挑战 EUV 的主导地位……而能耗仅为 EUV 的十分之一。 大日本印刷株式会社(DNP)开发了一种用于 1.4nm 级逻辑半导体的 10nm 纳米压印光刻(NIL)模板。 “这种方法不是用极紫外光照射晶圆,而是通过物理方式印制超精细图案,从而将能耗降低到 EUV 的近十分之一。” “DNP的新型纳米压印光刻模板可实现10纳米线宽,减小系统尺寸和功耗,并有望绕过极紫外光刻技术的高昂成本和瓶颈。客户评估将于2026年开始,计划于2027年量产。”

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27年