最近半导体圈出了个大新闻，全球芯片代工老大台积电，正式对外宣布了一个决定：未来两年内，他们要逐步退出氮化镓（GaN）芯片的代工业务，到2027年7月底彻底关停这块业务。 在半导体领域，功率器件正成为电动汽车和充电基础设施的核心推手，而氮化镓材料以其高效耐压优势脱颖而出。全球GaN市场从2015年的5亿美元规模，扩展到2023年的211亿美元，预计2025年继续保持20%以上的年增长率。台积电早在2014年便在新竹Fab 5工厂启动6英寸GaN磊晶工艺，利用硅基平台扩展产能，每月处理数千片晶圆。这条生产线一度服务消费电子和汽车客户，帮助器件小型化和效率提升。进入2020年后，疫情加速电动车转型，订单涌入，台积电的GaN产能利用率一度超过80%。然而，随着中国厂商投资8英寸生产线，成本下降迅速，GaN在充电器和逆变器中的渗透率从10%升至25%。台积电虽占代工市场30%的份额，但供应链多元化压力渐显。市场份额上，国际玩家如英飞凌和纳微半导体依赖其成熟工艺，而大陆IDM厂商通过垂直整合抢占低端份额。这场从实验到量产的跃进，本该是机遇，却在竞争加剧中埋下转折种子。 2025年7月3日，台积电通过Form 8-K备案正式披露，将从即日起启动GaN产能逐步缩减计划。2025年底前减产20%，2026年完成设备转移，2027年7月31日彻底停产。新竹Fab 5工厂将改造为先进封装线，专注于CoWoS技术。公告强调，此举基于市场动态和长期策略评估。公司年营收超800亿美元的体量下，GaN业务贡献不足1%，每月仅三四千片晶圆的规模难以支撑独立运营。退出路径清晰分阶段，避免供应链断裂，同时通知主要客户如纳微半导体和比亚迪，给予18个月缓冲期。财报电话会上，管理层重申资源优化逻辑，分析师追问细节时，仅简述评估结果无进一步披露。这一决定标志着台积电从第三代半导体边缘领域抽身，回归核心先进制程。行业震动迅速扩散，SEMICON Taiwan展会上，展台讨论焦点转向替代方案，凸显GaN代工生态的脆弱性。 GaN业务的规模对台积电而言太过渺小，无法匹配其全球霸主地位。相比3nm和5nm逻辑芯片的每月数十万片订单，GaN仅需少量6英寸机台维持，每月收益占总营收零头。这种不对称让资源配置效率低下，好比巨轮为小舢板让道。台积电的Fab 5原本设计用于成熟制程扩展，但GaN的磊晶和刻蚀工艺虽兼容，却占用宝贵洁净室空间。2024年数据显示，GaN良率虽达95%以上，但整体产能利用率不足60%，远低于公司平均水平。管理层评估后认定，继续投入将分散对高毛利业务的关注。退出并非仓促，而是多轮模拟后的理性选择，体现了半导体巨头在规模经济下的生存法则。小众市场虽有增长潜力，却难敌主流浪潮的吸引力。这一缩减直接释放厂房资源，预计改造后可新增CoWoS产能20%，支撑AI芯片需求。 价格竞争是台积电退出的另一关键推手。中国大陆厂商如Innoscience通过8英寸生产线规模化生产，将器件单价压低30%，在消费电子市场掀起低价风暴。台积电的6英寸工艺成本较高，毛利率从早期25%下滑至15%以下，甚至面临亏本风险。2024年客户谈判中，竞标报价频现，迫使台积电调整合同，但增收不增利已成为常态。大陆供应商的MOCVD设备批量采购和供应链本土化，进一步压缩国际代工空间。GaN市场整体价格曲线急剧下降，100V器件从10美元跌至7美元，650V高压产品亦然。台积电评估认为，这种白热化竞争短期难逆转，继续深耕将侵蚀利润池。退出决定反映了代工厂在全球化价格战中的无奈，凸显成本控制在半导体链条中的决定性作用。低价并非长久之计，但对体量庞大的台积电而言，避开泥潭转向蓝海更显务实。 展望未来，GaN领域洗牌在所难免。国际厂商加大研发投入，预计2027年12英寸量产突破技术关口。大陆供应链本土化加速，低压应用渗透率超50%。汽车和AI电源将成为增长引擎，但地缘因素或放大波动。台积电的Fab 5转型贡献AI产能，GaN市场进入多极化阶段。行业需平衡创新与成本，代工模式或进一步边缘化。这一事件提醒半导体从业者，战略抉择往往决定生死，专注核心才能在浪潮中立足。
