日本在功率半导体散热基板方面获得进展。 据日媒报道称，日本特殊陶瓷的目标是在两年内将氮化硅散热基板推向市场，用于电动汽车（xEV）等功率模块。 利用陶瓷烧制技术的核心技术，与传统产品相比，导热系数提高了约20%。 该公司还将利用 Nitera Materials（横滨市矶后区）的技术能力，该公司于 6 月成为子公司，进一步提高其产品的性能。 氮化硅散热基板具有将功率半导体产生的热量散发到外部的散热作用，以及电分电路的绝缘层。 在传统产品中，导热系数低的杂质可能会在陶瓷的颗粒界面处结块。 日本特殊陶瓷通过调整材料成分等措施来抑制这种情况，以确保高导热性。 导热性和强度是权衡的，但也可以实现高强度。 通过应用将不同材料相互连接的技术，铜和陶瓷之间的结合层也变得更薄。 这也旨在进一步提高导热性。 Nippon Toku Ware于6月将东芝材料公司纳入Nitera Materials的子公司，以加强氮化硅相关产品。 “我们可以通过利用（日本的）全球销售网络接触每个制造商”（日本德斗执行官伊藤真吾）扩大其在日本和海外的业务。
